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三星64层V-NAND芯片投产 Note 8载256GB ROM

来源:互联网 日期:2018-08-09

  据悉,三星已经开始大规模生产256GB的V-NAND内存芯片,这表明它可能在八月份发布的三星Galaxy Note 8中出现。

三星64层V-NAND芯片投产 Note 8载256GB ROM

  三星官方今天正式宣布64层256GB 3-bit V-NAND闪存将扩展至手机和PC等NAND等产品线中。公司预计在今年年底开始,每个月出货的半成以上NAND产品线将会使用第四代V-NAND技术。

三星64层V-NAND芯片投产 Note 8载256GB ROM

  目前,48层256GB 3-bit V-NAND闪存是三星最快的芯片。与48层256GB 3-bit V-NAND闪存相比,即将推出的64层256GB 3-bit V-NAND内存芯片在这几个方面更好。

三星64层V-NAND芯片投产 Note 8载256GB ROM

  首先,64层芯片具有1Gbps(千兆比特每秒)的数据传输速度,使其比48层芯片快1.5倍。其次,64层芯片的生产力比48层芯片提高了近30%。第三,由于2.5V输入电压,新芯片具有更高的能源效率。最后,新芯片比48层256GB 3-bit V-NAND闪存更可靠。

  这也就意味着,三星Note 8或将搭载256GB机身储存。此外,据称三星Galaxy Note 8还将配备高通最新的骁龙836移动平台。